Лаборатория нанотехнологий - была создана в Казахстанско-Британском техническом университете 2 мая 2011 года под руководством профессора Нусупова К.Х.
Миссия
- Лаборатория альтернативной энергетики и нанотехнологий стремится стать динамичным центром инноваций, ориентированным на повышение качества научной, образовательной, технологической, исследовательской, инновационной, проектной и предпринимательской деятельности, а также развитию партнерства с внутренними и внешними сообществами (коммерциализация).
- Лаборатория альтернативной энергетики и нанотехнологий ставит своей целью подготовку высококвалифицированных научных, педагогических и управленческих кадров, способных внести эффективный вклад в развитие страны.
- Лаборатория альтернативной энергетики и нанотехнологий осуществляет интеграцию науки и образования, формируя научно-производственный комплекс по разработке технологий различных объектов альтернативной энергетики (солнечной, ветровой, биологической и т.д.
Цели
- Разработка комплекса технологий для производства солнечных элементов и солнечных модулей как наземного, так и космического базирования.
- Разработка и производство ветроустановок на основе собственных патентов.
- Синтез и исследование карбидокремниевых и алмазоподобных углеродных пленок для наноэлектроники.
- Разработка базовых ионно-лучевых установок (ускорительная техника и др.) и электронных пушек: электронно-ионная и магнитная оптика, магнитные анализаторы и спектрометры для изучения климатических катастроф.
Научно-исследовательская деятельность и разработки
I Комплекс технологий для производства односторонних и двусторонних солнечных батарей:
1) технология получения ровной зеркальной поверхности кремниевых пластин;
2) технология получения высококачественного р–n–перехода;
3) технология изготовления селективного эмиттера для эффективного использования синей части солнечного спектра и увеличения КПД;
4) технология пассивации поверхности кремния для увеличения КПД;
5) технология синтеза нанокристаллов Si и SiC для конвертации ультрафиолетовой части спектра в видимую область спектра и увеличения КПД;
6) разработка методик определения толщин, химического состава и структуры слоев;
7) технология синтеза эффективного диффузионного барьера на основе TiNх и других соединений между медной металлизацией и кремниевой подложкой;
8) технология синтеза нанослоев TiSi2 для контактной системы;
9) технология создания многослойной контактной системы фронтальной и тыльной сторон элемента для увеличения срока службы солнечных батарей;
10) технология синтеза просветляющих покрытий солнечных элементов;
11) технология фотолитографии для послойного осаждения наноструктур;
12) лазерная обрезка кремниевых пластин для удаления закоротков;
13) технология ламинирования и капсуляция солнечных панелей;
14) методы измерения вольт-амперных характеристик и КПД;
15) тестирование солнечных модулей на имитаторе солнца;
16) сборка миниэлектростанций, и т.д.
II Создание многоступенчатой ветровой установки;
1) разработка и патентование новых ветроустановок;
2) производство опытных экземпляров ветроустановок.
III Синтез высококачественных монокристаллических и нанокристаллических плёнок карбида кремния и алмаза для наноэлектроники
1) Синтез и исследование аморфных и кристаллических пленок карбида кремния для наноэлектроники.
2) Синтез и исследование алмазоподобных углеродных пленок для наноэлектроники.
Оборудование ЛАЭиН
Имеется 24 вида технологических и исследовательских установок.
Осуществленные разработки
- двусторонние солнечные батареи на электростанции в СЭЗ ПИТ «Алатау». Успешная эксплуатация в течение трёх лет. Вложенные финансовые средства окупились вследствие выработки электроэнергии.
- многоступенчатая ветровая установка на берегу озера Капшагай;
- твердые пленки различного назначения (SiC, Si, Ti, TiN, Ta, TaN, W2N, Al, Cu);
- ускоритель легких и тяжелых масс-сепарированных ионов в КБТУ.
Солнечная электростанция, изготовленная в КБТУ. По заказу издательской компании InTech сотрудниками КБТУ (Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B.) написаны объемные главы в книги: а) "Silicon carbide – Materials, Processing and Applications in Electronic Devices" (46 стр.). б) "Physics and Technology of Silicon Carbide Devices" (50 стр.). На 01.12.2018 г. на главы сотрудников КБТУ поступили тысячи зарегистрированных запросов из 193 стран мира.
Патент США казахстанского изобретателя Нусупова К.Х. по ускорительной технике (Nussupov Kair Method and apparatus for the conveying and positioning of ion implantation targets”. United States Patent. US 6,414,328 B1. - Jul.2, 2002. - 22 p.) приведен как "противопоставленный патент" в патентах США таких всемирно известных компаний:
- Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. (US8698104; и US20110108742);
- Axcelis Technologies, Inc. (US6794664; WO2004090947A2; и WO2004090947A3);
- Twin Creeks Technologies, Inc. (US8044374; и US20100327181);
- Vaxis Technologies Llc (US20110121207);
- Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research (US6933511; и US20050104012),
- известных ученых Kinzou Shinozuka (US6514146), Adam Alexander Brailove (US8089055).
- в патентах Китая (CN103268850A; и CN103268850B). Всего 14 патентов.
Патент США
Ускоритель ионов и магнитный Детекторы ядерных излучений бесперебойно про- масс-спектрометр. Разработан и работавшие в экстремальных условиях открытого изготовлен в КБТУ.
Заключение по использованию детекторов
Детекторы ядерных излучений бесперебойно проработавшие в экстремальных условиях открытого космоса более 20 000 часов (разработано сотрудником КБТУ).
Международная патентная заявка заявителей Нусупова К.Х. и КБТУ по ветроэнергетике «Multi-Stage Slotted Wind Turbine». International Application No.: PCT/KZ2017/000007, 10.04.2017. Pub. No.: WO/2017/213485, 14.12.2017. Priority Data 07.06.2016 (2016/0492.1).
Высокоэффективная ветроустановка, разработанная и спроектированная в КБТУ. Получен патент Казахстана, 38 стран Европы и Америки. В настоящее время функционирует на берегу озера Капшагай.
|
|
|
|
Логотип Лаборатории Альтернативной Энергетики и нанотехнологий
Руководители
Султанов Асанали Талгатбекулы – Руководитель ЛАЭиН. В 2019 году окончил Нанкинский университет наук и технологий (г. Нанкин, КНР) по специальности «Наноматериалы и нанотехнологии», №1028842019580014. Дипломная работа выполнена в Институте наноматериалов и технологий им. Герберта Глейтера. По окончании университета Султанову А.Т. вручена грамота как одному из 4-х сильнейших выпускников 2019 года. В настоящее время Султанов А.Т. выступает в качестве рецензента двух рейтинговых журналов “Materials Letters” (IF3.57) и “Optical materials” (IF3.75) и получает подтверждающие сертификаты. Султанов А.Т. осуществил модернизацию нескольких крупных установок по созданию солнечных элементов. Принимает активное участие в технологиях: получения высококачественного анизотипного р–n–перехода; получения высококачественного изотипного р+–р–перехода; пассивации поверхности кремния для увеличения КПД; определения толщин, химического состава и структуры нанослоев; синтеза эффективного диффузионного барьера на основе TiNх и других соединений между медной металлизацией и кремниевой подложкой; синтеза низкоомных нанослоев TiSi2 для контактной системы; создания многослойной контактной системы фронтальной и тыльной сторон элемента для увеличения срока службы солнечных элементов; синтеза просветляющих покрытий солнечных элементов; удаления краевых закоротков кремниевых пластин лазером; ламинирования и капсуляция солнечных панелей; измерения вольт-амперных характеристик и КПД; тестирование солнечных модулей на имитаторе солнца; и т.д.
Нусупов Каир Хамзаевич – Главный научный сотрудник ЛАЭиН, имеет степень доктора физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 – физика конденсированных сред (ФИАН, Москва, 1996, Специализированный Совет Д.002.39.02 Лауреата Нобелевской премии Басова Н.Г.); имеет звания «профессор физики» (ККСОН МОН РК, 28.05.2010 г., Астана), академик Российской Академии Естествознания (диплом № 9342 от 01.06.2017 г.), заслуженный деятель науки и образования Российской Федерации (сертификат № 01434, Москва, 2014 г.), основатель научной школы Российской Федерации (сертификат № 00839, Москва 2014 г.), член Нью-Йоркской Академии наук (2005 г). Им подготовлены 3 кандидата физ.-мат. наук (Москва, 1994, 1995, 2006 гг.), 1 PhD и 1 доктор физ.-мат. наук (ИПТМ РАН, 2011 г.). Имеет стаж работы в США (г.Нью-Йорк и др.) – 10 лет, в России (г.Москва) – 5 лет, в военно-промышленном комплексе СССР – 15 лет. В Казахстане им впервые в СССР осуществлен перевод линейного ускорителя тяжелых ионов (ИЛУ-4) на низкие энергии. С использованием этого ускорителя он разработал и создал полупроводниковые детекторы ядерных частиц, которые после испытаний как лучшие в СССР были установлены на борту космического летательного аппарата специального назначения. Эти детекторы в экстремальных условиях открытого космоса проработали более 20000 часов (официальное подтверждение имеется). Имеет патент США по ускорительной технике, авторское свидетельство СССР для служебного пользования, три патента и одну Международную заявку по ветроэнергетике. Д.ф.-м.н., профессору Нусупову Каиру Хамзаевичу присуждены: Диплом «Лучший инженер 2015 года в Казахстане» (лауреат республиканского конкурса, Постановление Президиума №138 от 19.01.2016 Национальной инженерной академии Республики Казахстан); Диплом победителя республиканского конкурса “Online-Expo-2017” (Астана, 2016 г. G-GLOBAL); награды научного сообщества за циклы публикаций. Согласно данным базы Web of Science лист цитирований содержит 115 внешних цитирований. Индекс Хирша – h6 (Nussupov K* OR Nusupov K*).
Контакты - тел.: 8 727 357 42 66
Руководитель: Султанов Асанали Талгатбекулы a.sultanov@kbtu.kz
Главный научный сотрудник: Нусупов Каир Хамзаевич k.nusupov@kbtu.kz
|
|
Департамент: Лаборатория альтернативной энергетики и нанотехнологии Руководитель: Султанов Асанали Эл.почта: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. Телефон: +77071125411
|
|
№ |
Наименования |
Фото |
Описание |
Технические характеристики |
Применение |
|
1 |
Ускоритель тяжелых ионов |
|
Ускоритель тяжелых ионов предназначен для создания p-n переходов и выращивания пленок методом ионно-лучевого осаждения низкоэнергетичных ионов. |
Мощность установки 1.5 кВт, рабочее напряжение 0-50 кВ. Магнитный масс сепаратор позволяет разделять элементы всей периодической таблицы. Диаметр имплантирующего пучка 3мм. Установка снабжена мишенным узлом собственного производства, позволяющего производить имплантацию в поверхность партии подложек однородно и равномерно. |
Ускоритель задействован в технологической цепочке для формирования p-n перехода. Может быть использован для ионной имплантации и масс- спректроскопии. |
|
2 |
Лазер DX-532-30 |
|
Короткоимпульсный наносекундный лазер серии DX компании Photonics Industries представляет собой промышленную систему с наиболее идеальным компактным форм-фактором, короткой шириной импульса (до ~11 нс), высокой мощностью, высокой частотой повторения (до 1 МГц), производительностью и качеством точности. Специально запатентованная внутрирезонаторная генерация гармоник без повреждающего индексирования гармонических кристаллов обеспечивает более высокую производительность и более высокую надежность, удовлетворяя строгим производственным критериям. |
Длина волны 532 нм, средняя мощность 30 Вт при частоте 100 кГц (30 Вт при 200 кГц, 27 Вт при 300 кГц) ширина импульса (номинальная) 11±2 нс при 100 кГц, <25 нс при 250 кГц, режим луча TEMoo, M2<1,1, диаметр луча ~0,7 мм (номинал), расходимость луча < 2 мрад, стабильность наведения < 25 мкрад. |
Резка, сверление, сварка, скрайбирование, маркировка, нанесение рисунка, нарезка диэлектрических канавок, демонтаж панелей, отжиг, ремонт. Преобразование с катушки на лету, процесс микрообработки. Резка печатных плат, сверление, демонтаж панелей. Скрайбирование и маркировка кремниевых пластин, нарезка диэлектрических канавок Low-k. Скрайбирование солнечных батарей и обработка PERC. С помощью сверления отверстий, лазерной трепанации, лазерного ударного сверления. Laser Lift-Off (LLO), системы лазерной дебондинга, полупроводниковая микрообработка. Лидарные системы. |
|
3 |
Многофункциональный рентгеновский комлпекс ComplexRay C6 |
|
Многофункциональный рентгеновский комплекс ComplexRay C6 предназначен для диагностики тонких пленок и наноструктур. Гибкое построение схемы прибора позволяет использовать все стандартные методы рентгеновских измерений и обеспечивает высокоточные измерения на нескольких спектральных линиях. Комлекс ComplexRay C6 позволяет проводить одновременные измерения на нескольких длинах волн в также обеспечение новых диагностических возможностей анализа поверхности слоев. Комлекс ComplexRay C6 - это полностью компьютеризированная система, предназначенная для проведения измерений в автоматическом режиме. |
Диапазон измерения углов дифракции 2θ от 8о до 110о. Наименьший угловой шаг сканирования 0.0002 по осям θ и 2θ. Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерения угловых положений дифракционных пиков ±0.01о. Наибольшая мощность источника рентгеновского излучения 300 Вт. Диапазон регулирования анодного напряжения рентгеновской трубки от 10 до 40 кВ, а анодного тока от 0.01 до 7.5 мА. Размер видимого фокуса рентгеновской трубки 0.02х8 мм. Наибольший допустимый размер образца 200мм. |
Многофункциональный рентгеновский комплекс ComplexRay C6 предназначен для диагностики тонких пленок и наноструктур. Гибкое построение схемы прибора позволяет использовать все стандартные методы рентгеновских измерений и обеспечивает высокоточные измерения на нескольких спектральных линиях. Комплекс ComplexRay C6 позволяет проводить одновременные измерения на нескольких длинах волн в также обеспечение новых диагностических возможностей анализа поверхности слоев. Комплекс ComplexRay C6 - это полностью компьютеризированная система, предназначенная для проведения измерений в автоматическом режиме. |
|
4 |
Кондуктометр Lab 970 SCHOTT/ SI Analytics |
|
Стационарный кондуктометр, обеспечивающий высокоточные и надежные результаты измерений. Измерение производится в соответствие с USP 28. |
Диапазон измерений проводимости: 0,000 мкСм/см - 500 мСм/см. Погрешность (±1знак): ±0.5. Диапазон измерений температуры: -5.0°C - + 120.0°C. Погрешность (±1знак): 0.1°C |
Кондуктометр Lab 970 для измерения удельной электропроводности (УЭП) и температуры водных растворов. Прибор может применяться для определения массовой концентрации солей в водных растворах в пересчете на NaCl (условного солесодержания - УСС) и производить расчет удельной электропроводности, приведенной к 25 °С (УЭП25) по линейной зависимости. |
|
5 |
Спектрофотометр Leitz MV-SP |
|
Спектрофотометр Leitz MV-SP использует оптические методы для быстрого неразрушающего измерения толщины пленок. Предоставляется программное обеспечение для измерения диоксида кремния, нитрида кремния, поликремния, полиимида, оксида алюминия и фоторезиста. Эти пленки могут быть измерены на кремниевых, алюминиевых или III-V подложках. Также предусмотрены программы для измерения верхнего слоя многослойных пленочных структур. Кроме того, в библиотеку Leitz можно добавить другие пленки и подложки. Спектральный диапазон 220-800 нм. Спектральное разрешение 1нм. Также данный прибор может работать в режиме оптического микроскопа. |
Измеряемые толщины пленок в диапазоне от 10 нм до 15 мкм. Время измерения составляет от 20 до 60 секунд, а точность оценивается как плюс-минус 3%. Измерения могут быть выполнены внутри геометрии размером от четырех квадратных микрометров (4 мкм на 1 мкм). |
Данный спектрофотометр используется для измерения толщины тонких пленок неразрушающим оптическим методом. |
|
6 |
Центрифуга SAWATEC SM-180 |
|
Центрифуга, оптимизированная для университетов, лабораторий и пилотных проектов. Предназначена для нанесения тонких пленок методом центрифугирования. Позволяет обрабатывать подложки диаметром до 150 мм. Зажим подложки осуществляется вакуумным столиком. Предусмотрена легкая замена столика без использования специальных приспособлений. |
Скорость вращения 0-10000 об/мин, точность вращения +/-1 на 6000 об/мин. Ускорение 80-500 рад/с2. Температура окружающего воздуха от 4 до 60°C. Размеры (Ш×Д×В) 510 × 350 × 403 мм. Вес 29 кг. |
Нанесение однородных пленок (например, фосфор и бор содержащих) различной толщины методом центрифугирования. |
|
7 |
Импульсный имитатор солнца - Pulsed Solar Simulator System, Berger Lichttechnik |
|
Симулятор солнца класса A+A+A+ со спектральным соответствием между 300 и 1200 нм и производительностью 160 тестов в час с использованием технологии sub-IV-curve. Способен измерить ВАХ характеристики солнечных модулей, произведенных различными технологиями, включая гетеропереходные, PERC, n-тип и т. д., могут быть измерены в течение одного импульса длительностью 10 мс. |
Полезное время разряда 10 мс (приблизительно при 93% номинальной мощности). Общее время вспышки 12 мс. 120 тестовых циклов в час. Класс A⁺ временная стабильность при уровне излучения 1000 Вт/м² в течение времени измерения. Класс A⁺. Постоянная однородность в течение всего срока службы лампы. Класс A⁺ AM 1.5 Глобальный спектр. Максимальная испытательная площадь 2000 × 1400 мм. Диапазон измерения V: 15/30/60/90/120В. Диапазон измерения I: 6/12/18 A. Диапазон измерения Ref.: 80 мВ. Аналого-цифровые преобразователи: 3×12 бит, однополярные. Максимум. количество точек измерения: 512. Точность на диапазон: <0,1%. |
Установка "Импульсный имитатор солнца" - Pulsed Solar Simulator System, Berger Lichttechnik предназначена для определения электрических характеристик солнечного модуля |
|
8 |
Имитатор солнца Sun 3000 Solar Simulator CLASS ABA |
|
Симулятор солнца класса ААА для измерения ВАХ солнечных элементов |
Данный имитатор солнца обладает оптикой II поколения с высокоэффективным освещением. Спектральное соответствие класса А. Стабильность класса А. Однородность класса А. Макимальная площадь солнечного элемента 156х156 мм. В качестве источника света служит дуговая лампа DC Xe, 500 Вт. Имеет Широкий диапазон рабочих расстояний. Переключаемые модели полного спектра/УФ. Модели с несколькими солнечными выходами. Цифровой таймер затвора в комплекте. Охлаждение с фильтром HEPA |
Установка Sun 3000 Solar Simulator предназначена для определения характеристик солнечного элемента |
|
9 |
Высокотемпературная печь |
|
Высокотемпературная печь собственной разработки лаборатории, предназначенная для формирования тонких пленок монокристаллического и нанокристаллического карбида кремния методом замещения атомов. Перед началом работы достигается глубокий вакуум безмасляной откачкой, а во время синтеза производится напуск угарного газа СО. Нагрев производится за счет графитовых стержней. |
Перед синтезом достигается глубокий вакуум 1.9×10-3 Па. В печи предусмотрены два нагревателя для синтеза на подложках малой и большой площади. Малый нагреватель диаметром 23мм обладает мощностью 2,7 кВт и позволяет достичь температуры 1400°С. Достигаемые ток и напряжение - 43А и 60 В, соответственно. Большой нагреватель диаметром 86 мм обладает мощностью 5,5 кВт и позволяет достичь температуры 1250°С. |
Данная установка предназначена для формирования тонких монокристаллических и поликристаллических пленок карбида кремния высокого качества. |
|
10 |
Уставнока термического напыления |
|
Малогабаритная вакуумная установка термического испарения собственного производства для нанесения тонких пленок методом PVD. |
Установка снабжена безмасляным форвакуумным и магниторазрядным насосами для достижения вакуума 1×10-3 Па. Напыление производится на подложки диаметром 150 мм. Мощность установки 500 Вт. Рабочее напряжение 10 В, ток 50 А |
Нанесение тонких пленок на подложки кремния методом термического испарения в вакууме. |
|
11 |
Лазерная система прецизионной маркировки и гравировки (гравер) "Sharp Mark Fiber Pro 30" |
|
Автоматизированный лазерный комплекс с увеличенным рабочим полем 600×400 мм. Позволяет работать с нестандартными изделиями и осуществлять тиражирование объектов в автоматическом режиме |
Рабочее поле: 600x400 мм. Лазерный источник: импульсный волоконный лазер с опцией «High Contrast», IPG Photonics (Россия). Мощность: 30 Вт. Скорость обработки: до 10 000 мм/сек. Сканирующая система: Cambridge Technology, IMD. |
Высокоточная маркировка, микромаркировка, глубокая гравировка, гравировка по ГОСТ, гравировка цилиндрических изделий, 3D гравировка, удаление покрытий, гравировка конических изделий, нанесение изображений, цветная маркировка, фигурная резка, резка тонких металлов, нанесение штрих-кодов и серийная нумерация, гравировка клише и штампов. |
|
12 |
Печь для быстрого термического отжига пластин AS-One 150 |
|
AS-One 150 - это универсальная система RTP, которую можно использовать для разработки процессов быстрого термического отжига и быстрых термических процессов CVD. |
Температурный диапазон: от КТ до 1200°С. Скорость линейного изменения до 200°C/сек. Возможность смешивания газов с регуляторами массового расхода. Диапазон вакуума: от 1 атмосферы до 10-6 торр. Полное управление обеспечивается ПК с программным обеспечением, совместимым с Windows. |
Быстрый термический отжиг (БТА). Отжиг имплантата. Отжиг омических контактов (III-V и SiC). Быстрое термическое окисление (RTO). Быстрое термическое азотирование (RTN). Селенизация (солнечные элементы CIGS). CVD графена и h-BN (гексагональный нитрид бора). Термический отжиг полимеров, и т.п. |
|
13 |
Высокопроизводительная кварцевая печь на 1100°С. Отжиг ТМ-4М. |
|
Высокопроизводительная кварцевая печь на 1100°С. Печь "Отжиг ТМ-4М" предназначена для пассивации поверхности кремния, термообработки пленок, формирования необходимых структур и характеристик. |
Групповая обработка 60 пластин до Ø 150 мм; кварцевый реактор с термостатируемой рабочей зоной 700 мм. Диапазон рабочих температур 300-1100°С; рабочие газы: Ar, H₂, N₂. Микропроцессорная система управления; мощность потребления не более 15 кВт. |
Автоматизированная структурно-термическая обработка пластин и материалов (отжиг, сушка, разгонка диффузанта, восстановление кристаллических и др.) при нормальном распределении в восстанавливающей или нейтральной среде. |
|
14 |
Прибор "Тауметр 2М" |
|
Прибор "Тауметр 2М" является электронным контрольно-измерительным прибором, предназначенным для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в пластинах и слитках моно- и мультикристаллического кремния бесконтактным сверхвысокочастотным (СВЧ) методом. |
Диапазон измерения времени жизни неравновесных носителей заряда от 0,1 до 10000 микросекунд. Пределы допускаемой основной относительной погрешности измерения не более 20%. Повторяемость результатов измерения не хуже 2%. |
Измерение времени жизни неосновных носителей заряда кремниевых пластин |
|
15 |
Прибор "РОМЕТР" |
|
Прибор "РОМЕТР" является электронным контрольно-измерительным прибором, предназначенным для измерения удельного электрического сопротивления пластин и слитков монокристаллического кремния четырехзондовым методом в автоматическом режиме с управлением от персонального компьютера. |
Диапазон измерения удельного электрического сопротивления от 0,001 до 10000 Ом·см. Пределы допускаемой основной относительной погрешности измерения, не более 3%. Расстояние между зондами 1,591 мм. Отклонение расстояний между линейно расположенными зондами четырех зондовой головки от паспортных значений не хуже 0,01мм. Материал зондов - карбид вольфрама. Радиус наконечников зондов 40 микрон. |
Измерение удельного и поверхностного электрического сопротивлений полупроводниковых пластин. |
|
16 |
Высокопроизводительная магнетронная напылительная установка груповой обработки пластин ТМ МАГНА 29 |
|
Высокопроизводительная магнетронная напылительная установка групповой обработки пластин ТМ МАГНА 29 предназначена для поточного осаждения медных контактных дорожек на поверхность партии кремниевых пластин. |
Групповая обработка подложек: Ø76 мм, Ø 100 мм, Ø150 мм; две шлюзовые камеры для загрузки – выгрузки подложек из кассеты в кассету; конвейерная система непрерывного транспортирования подложек; предварительный нагрев подложек ламповым нагревателем и их очистка источником ионов; безмасляная система откачки; мощность потребления - не более 25 кВт. |
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления. |
|
17 |
Мультикатодное магнетронное устройство поштучной обработки пластин МАГНА ТМ-200-01 |
|
Мультикатодное магнетронное устройство поштучной обработки пластин МАГНА ТМ-200-01 предназначена для осаждения наноструктур и диффузионных барьеров на кремниевые пластины поштучно методом магнетронного распыления |
Индивидуальная обработка подложек в одном технологическом цикле. Шлюзовая камера для загрузки – выгрузки подложек. Транспортная система переноса подложек из шлюзовой камеры в рабочую камеру на основе манипулятора. Размещение источника ионной очистки подложек вместо третьего магнетрона. Планарное МРУ с мишенью Ø280 мм или мультикатодное МРУ с тремя мишенями Ø100 мм. Скоростное нанесение из трех магнетронов одной пленки или последовательное нанесение двух-, трехслойных пленок с использованием заслонки. Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и турбомолекулярного насосов. Мощность потребления не более 16 кВт. |
Нанесение многокомпонентных и многослойных металлических или диэлектрических тонких пленок на подложки (пластины) методом магнетронного распыления. |
|
18 |
Высокопроизводительная электронно-лучевая установка ЭЛУ ТМ-5 |
|
Высокопроизводительная электронно-лучевая установка ЭЛУ ТМ-5 предназначена для электронно-лучевого нанесения покрытий на кремниевые пластины диаметром 150 мм, размещенные на планетарном подложкодержателе, с предварительным нагревом и ионной очисткой поверхности пластин в едином вакуумном цикле. |
Групповая обработка подложек в одном технологическом цикле: Ø 76 мм – 15 шт.; Ø 100 мм – 9 шт.; Ø 150 мм – 3 шт. Шлюзовая камера для загрузки – выгрузка подложек (Позиция 1); Система переноса подложек из шлюзовой камеры в две рабочие позиции (2, 3) транспортной каруселью; Четырёхтигельный электронно-лучевой испаритель; Предварительный нагрев подложек и их очистка с помощью источника ионов; Безмасляная (сухая) откачка на базе форвакуумного и турбомолекулярного или криогенного насосов; Микропроцессорная система управления; мощность потребления не более 20 кВт; |
Нанесение тонких плёнок на подложки (пластины) методом электронно-лучевого испарения. |
|
19 |
Спектрофотометр ультрафиолет/видимого диапазона Evolution, 300 производства "Thermo Fisher Scientific", США |
|
Спектрофотометр представляет собой стационарный настольный лабораторный приборы, состоящие из оптико-механического и электронного узлов, установленных в общем корпусе. В спектрофотометрах реализована двухлучевая оптическая схема. Для разложения излучения в спектр в приборе используется монохроматор с дифракционной решеткой |
Спектральный диапазон: 190-1100нм. Диапазон измерений спектральных коэффициентов направленного пропускания от 0 до 100%. Пределы допускаемой абсолютной погрешности спектрофотометров при измерении спектральных коэффициентов направленного пропускания ±1%. Пределы допускаемой абсолютной погрешности установки ±1 нм. Уровень рассеянного света при 340 нм не более 0.02% |
Спектрофотометр Evolution-300 предназначен для измерения прозрачности, коэффициентов отражения и поглощения пленок в ультрафиолетовой,видимой и ближней инфракрасной области |
|
20 |
ИК-Фурье спектрометр Nicolet is50 |
|
Уникальный прибор самого высокого исследовательского уровня "research-grade", который создан специально для специалистов академических лабораторий, университетов и исследовательских центров. |
Спектральный диапазон 4000 - 400 см-1. Спектральное разрешение в среднем ИК лучше 0,09 см-1. Отношение сигнал/шум, 1 мин, р-р, 4 см-1 55000:1. Псевдорассеяный свет 0,07%. Точность шкалы волновых чисел лучше, чем 0,01 см-1. Скорость сканирования 0,158-6,28 см/сек. |
ИК-Фурье спектрометр Nicolet is50 FT-IR с романовской приставкой предназначен для определения химического состава, структуры и оптических свойств пленок. |
|
21 |
Флуоресцентный спектрометр Lumina |
|
Флуоресцентный спектрометр Lumina дает возможность проведения исследований флуоресценции, хемилюминесценции и фосфоресценции с высоким разрешением и чувствительностью в диапазоне от 190 до 900 нм. |
Спектральный диапазон для возбуждения и излучения 190 - 900 нм. Горизонтальная геометрия луча шириной 5 мм. Минимальный объем образца – 0,5 мл ( в стандартной кювете 10 мм). Спектральная ширина щели монохроматоров возбуждения и регистрации спектров - 0,5; 1,0; 2,5; 5,0; 10; 20 нм. Источник излучения - ксеноновая лампа мощностью 150 Вт. Чувствительность (полоса КР воды): > 4000:1 RMS > 1000:1 Peak-to-peak. Пределы абсолютной погрешности установки длин волн - ±0,5 нм. Воспроизводимость - ±0.2 нм. Скорость сканирования - 1-6000 нм/мин. Скорость перестройки - 20000 нм/мин |
Различные программы, обеспечивающие работу флуоресцентного спектрометра Lumina, позволяют проводить измерения: спектров излучения, возбуждения и синхронного спектра, в том числе их зависимость от температуры; измерение трехмерного спектра флуоресценции; концентрации пробы относительно калибровочной кривой; времени жизни фосфоресценции; интенсивности проб при выбранных длинах волн без сканирования возбуждения или излучения; концентрации ионов во внутриклеточных образцах (путем расчета); величины анизотропии. |
|
22 |
Печь для вакуумного ламинирования стекла Pujol Lam Pro PV 23×18 PV |
|
Печь для вакуумного ламинирования стекла Pujol Lam Pro PV предназначена для ламинирования и капсуляции солнечных модулей, которая обеспечивает высокую производительность. |
Печь для вакуумного ламинирования состоит из 1 камеры размером 230×180 мм. Установленная мощность 18 кВт. Максимальная температура 150°С. |
Печь для вакуумного ламинирования предназначена как для ламинации солнечных модулей, так и для других различных стеклосодержащих структур. |
|
23 |
Принтер трафаретной печати |
|
Полуавтоматический принтер трафаретной печати, предназначенный для нанесения контактной дорожки кремниевого солнечного элемента. Нанесение производится с использованием соответствующих паст и пневматического ракеля, управляемого контроллером с фотоэлементом. |
Максимальная площадь печати 300×500мм. Размер печатной платформы 400×600мм. Скорость печати 800 шт/ч. Максимальный размер рамки трафарета 500×900 мм. Давление печати 4,0~6,0 кгс/см. Толщина печати ≤50 мм. |
Нанесение серебросодержащих и алюминийсодержащих паст на поверхность кремниевого фотоэлемента методом трафаретной печати для формирования металлической контактной сетки для создания солнечного элемента. |
|
24 |
Автоматическая установка ЭМ-5006А двухсторонней контактной фотолитографии с зазором на пластины кремния не менее 150 мм (фотошаблон 175х175 мм) в комплекте. |
|
Автоматическая установка ЭМ-5006А двухсторонней контактной фотолитографии с зазором на пластины кремния не менее 150 мм применяется в технологии фотолитографии для формирования рисунка на поверхности кремниевой пластины |
Устанавливаемые диметры пластин 76, 100,125,150 мм. Толщина 0.35-0.8мм. Смещение первого изображения на полупроводниковой пластине относительно бокового среза в партии пластин. По координатам не более 0.3мм, по углу 0.5 градусов. Параметры нанесенной пленки фоторезиста: толщина не более 0.8мкм, равномерность толщины 5% |
Установка предназначена для совмещения изображений на фотошаблоне и полупроводниковой пластине и переносе изображения с фотошаблона на пластину экспонированием фоторезистивного слоя на пластине при фотолитографических процессах изготовления интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. |
