Целью разработок является создание отечественного производства двусторонних кремниевых солнечных батарей с высоким КПД (16% с каждой стороны) с формированием p-n-переходов, пассивирующих слоев, диффузионных барьеров, омических контактов и просветляющих покрытий к лицевой и тыльной сторонам солнечных элементов посредством использования технологий ионной имплантации, магнетронного, электронно-лучевого и ионно-лучевого распыления. К настоящему времени разработаны:

1) технологический маршрут по химическому удалению дефектного поверхностного слоя и получения ровной зеркальной поверхности кремниевых пластин;

2) технология получения высококачественного р–n–перехода;

3) технология изготовления селективного эмиттера для эффективного использования синей части солнечного спектра и увеличения КПД;

4) технология пассивации поверхности кремния для увеличения КПД;

5) технология синтеза нанокристаллов Si и SiC для конвертации ультрафиолетовой части спектра в видимую область спектра и увеличения КПД;

6) методика определения толщин, химического состава и структуры слоев;

7) технология синтеза эффективного диффузионного барьера сложного состава на основе Ti-N между медной металлизацией и кремниевой подложкой;

8) технология синтеза нанослоев TiSi₂ для контактной системы;

9) технология создания многослойной контактной системы фронтальной и тыльной сторон элемента для увеличения срока службы солнечных батарей;

10) технология синтеза просветляющих покрытий солнечных элементов;

11) технология фотолитографии для послойного осаждения наноструктур;

12) лазерная обрезка кремниевых пластин для удаления закоротков;

13) технология ламинирования и капсуляции солнечных панелей;

14) методы измерения вольт-амперных характеристик и КПД;

15) тестирование солнечных модулей на имитаторе солнца;

16) сборка миниэлектростанций, и т.д.

Сравнение с аналогами: Длительный срок службы – 30 лет, КПД – до 16% с каждой стороны, себестоимость - 1,2$ за 1Вт.

Области применения: Солнечная энергетика, космическая техника.